- насыщение транзистора
-
насыщение транзистора
—
[http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
- saturation of a transistor
Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.
Транзисторно-транзисторная логика — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей. Транзисторно транзисторная логика … Википедия
Transistor-transistor logic — Транзисторно транзисторная логика (ТТЛ, TTL) разновидность цифровых микросхем, построенных на основе биполярных транзисторов и резисторов. Название транзисторно транзисторный возникло из за того, что транзисторы используются как для выполнения… … Википедия
Логические элементы — Логические элементы устройства, предназначенные для обработки информации в цифровой форме (последовательности сигналов высокого «1» и низкого «0» уровней в двоичной логике, последовательность «0», «1» и «2» в троичной логике,… … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
Классификация электронных усилителей — Основная статья: Электронный усилитель Классы электронных усилителей и режимы работы активных усилительных приборов (ламп или транзисторов) традиционно обозначаются буквами латинского алфавита. Буквенные обозначения классов усиления могут… … Википедия
Леговец, Курт — Курт Леговец Kurt Lehovec Дата рождения: 12 июня 1918(1918 06 12) Место рождения: Ледвице … Википедия
ГОСТ 25532-89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 25532 89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения оригинал документа: 21. Абсолютная неравномерность выходного сигнала ФППЗ Разность максимального и минимального значений выходного сигнала ФППЗ по… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
Трансформатор — У этого термина существуют и другие значения, см. Трансформатор (значения). Трансформатор силовой ОСМ 0,16 Однофазный сухой многоцелевого назначения мощностью 0.16 кВт … Википедия